Силовой модуль IGBT BSM35GP120

Модуль BSM35GP120 биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Технические характертстики:

Модуль IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: 1200 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 В

Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A

Ток утечки затвор-эмиттер: 300 нA

Рассеивание мощности: 230 Вт

Рабочая температура: от -40 до + 125 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 В